溫度范圍覆蓋 - 65℃~150℃，滿足不同級別半導體芯片的測試需求

高低溫轉(zhuǎn)換時間≤15 秒，溫度恢復時間≤5 分鐘，確保沖擊強度與效率

測試箱內(nèi)溫度均勻性≤±2℃，溫度偏差≤±3℃，保證芯片各區(qū)域受熱均勻

配備 96 組可獨立設定的試驗規(guī)范，支持 1~999 次循環(huán)測試，滿足不同可靠性等級要求

采用復迭式制冷系統(tǒng)與鎳鉻合金螺紋電加熱器，結(jié)合環(huán)保制冷劑 R507、R23，實現(xiàn)高效控溫

Grade 0 級（最高等級）：-40℃（低溫保持 1 小時）→150℃（高溫保持 1 小時）

循環(huán)次數(shù)：1000 次（等效汽車 15 年使用壽命）

性能評估指標：功能完好率 100%，參數(shù)漂移≤5%，鍵合強度保持率≥90%

溫度沖擊范圍：-55℃→125℃，每區(qū)間保持 30 分鐘

循環(huán)次數(shù)：500 次

重點監(jiān)測：高低溫啟動性能，高溫工作穩(wěn)定性，低溫功耗變化

溫度沖擊范圍：-40℃→85℃，每區(qū)間保持 20 分鐘

循環(huán)次數(shù)：200 次

評估重點：存儲數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，接口信號完整性，封裝外觀變化

鍵合線疲勞斷裂：鋁線在 - 65℃~150℃沖擊下，經(jīng) 300 次循環(huán)后易出現(xiàn)頸部斷裂，金絲鍵合可靠性更高但成本也更高

封裝分層：塑封料與芯片間因熱膨脹系數(shù)差異，在 800 次循環(huán)后出現(xiàn)微裂紋，導致散熱性能下降 30% 以上

焊點開裂：BGA 封裝焊點在溫度沖擊下發(fā)生蠕變，1000 次循環(huán)后焊點導通電阻增加 15%~20%

工作電流從 20mA 增至 23mA，漏電電流增加約 2 倍

時鐘頻率穩(wěn)定度從 ±1% 降至 ±3%

ADC 轉(zhuǎn)換精度誤差從 0.5LSB 增至 1.8LSB

低溫 (-40℃) 啟動時間從 10ms 延長至 35ms

高溫區(qū)保持時間超過 45 分鐘，會導致 MEMS 結(jié)構漂移量增加

-55℃沖擊時，芯片啟動電壓需提高 0.5V 才能保證可靠啟動

解決方案：增加芯片內(nèi)置加熱膜，優(yōu)化 MEMS 結(jié)構錨定設計，提高低溫啟動穩(wěn)定性